Технические характеристики:
Внутренняя схема: GB
Кол-во ключей в модуле: 2
Напряжение К-Э: 1.2 кВ
Рабочий ток при 25 C: 300 А
Технология кристалла: IGBT 4(Trench)
Корпус: SEMITRANS3
Поставка электронных компонентов
Поставка электронных компонентов
9:00 - 18:00 (Пн-Пт)
+7 (499) 113-07-60
Корзина пуста.
9848,00 ₽
Технические характеристики:
Внутренняя схема: GB
Кол-во ключей в модуле: 2
Напряжение К-Э: 1.2 кВ
Рабочий ток при 25 C: 300 А
Технология кристалла: IGBT 4(Trench)
Корпус: SEMITRANS3
9:00 - 18:00 (Пн-Пт)
+7 (499) 113-07-60